近日,IBM发布2nm芯片制造技术性,称它是全球创新。IBM表明,技术性能够 使集成ic速率比现如今很多笔记本及手机上所应用的流行7纳米技术集成ic提高45%,电力能源高效率提升75%。相比当今最顶尖的5纳米芯片,2纳米芯片的容积会更小、速率也会迅速;现阶段5纳米芯片仅用在iPhone iPhone 12等高端智能手机,而5纳米技术以后的下一个技术性连接点料为3纳米技术。
据统计,做为首先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)集成ic的生产商,IBM本次的2nm选用的是GAA(围绕栅压晶体三极管)技术性,三层。这是第一次应用底介电防护安全通道,它能够 完成12 nm的栅长,其內部间距是第二代干式设计方案,有利于纳米技术片的开发设计。这也是第一次应用EUV曝出FEOL一部分全过程。有关GAA晶体三极管技术性,三星3nm、Intel 5nm及其tsmc2nm均将初次选用。
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