与CPU等逻辑性集成ic立即应用精确的加工工艺不一样,闪存芯片在20nm以后就越来越模糊不清了,生产商称作10nm级加工工艺,事实上用到1X、1Y、1Znm来取代。
1X、1Y、1Znm究竟是什么加工工艺?三星、SK海力士及美光三大运行内存大佬以前一直不愿确立,依照业内的剖析,大致而言1Xnm加工工艺等同于16-19nm等级、1Ynm等同于14-16nm,1Znm加工工艺等同于12-14nm等级。
在1X、1Y、1Znm以后,还会继续有1αnm、1βnm、1γnm三种加工工艺,三星今年下半年批量生产1αnm加工工艺的运行内存。
值得一提的是,在全新的公示中,三星也初次确立了1αnm的实际水准,那便是14nm加工工艺,这或是三家生产商中第一个更改运行内存加工工艺界定的。
对于三星为何要敢于创新,很有可能跟1αnm运行内存加工工艺进展落伍相关,2020年1月份美光就公布批量生产1αnm加工工艺闪存芯片了,三星晚了几个月,如今透明度实际加工工艺,也是有将美光一军的寓意,由于三星早期就猜疑美光的1αnm加工工艺并并不是真真正正的1αnm,就看美光是不是接招了。
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