意法半导体“片式多硅技术性”历史时间造就喜获知名的IEEE里程碑式奖
发布时间：2021-05-24 18:19:03发布人：日新微博
5月21日信息，意法半导体(STMicroelectronics，通称ST)公布，电气设备与电子工程师研究会(IEEE)授于意法半导体IEEE里程碑式奖，嘉奖企业在非常集成化硅栅半导体材料生产工艺层面的开拓性科研成果。意法半导体的BCD技术性能够 片式集成化双极加工工艺高精密仿真模拟晶体三极管、CMOS加工工艺性能卓越数据电源开关晶体三极管和大功率DMOS晶体三极管，合适繁杂的、有功率大的要求的运用。很多年来，BCD生产工艺已颠覆式创新磁盘驱动器、复印机和汽车系统等终端设备运用获得了颠覆性创新发展趋势。
在意法半导体Agrate加工厂举办的当场 / 网上挂牌仪式上，IEEE西班牙各分部人道主义精神主题活动联合会助理员兼前男友文秘Giambattista Gruosso和意法半导体首席战略官CEOJean-Marc Chery一同解开了IEEE里程碑式横匾。
该横匾将置放在意法半导体在意大利米兰市近郊区的2个以前担负多硅栅多输出功率BCD开发设计工作中的西班牙布里安札的Agrate加工厂和意大利米兰Castelletto加工厂的正门口。
横匾上写着：
IEEE里程碑式
片式多硅技术性，1985年
SGS（现为意法半导体）首先选用片式集成化双极型晶体三极管、CMOS晶体三极管和DMOS晶体三极管(BCD)的非常集成化硅栅极加工工艺，处理繁杂的、有功率大的要求的运用设计方案难点。第一个BCD非常集成电路芯片L6202能够 操纵最大60V-5A的输出功率，电源开关頻率300kHz。接着的车辆、电子计算机和工控自动化普遍选用了此项生产工艺，让ic设计工作人员可以灵便、靠谱地片式集通过率、仿真模拟和数据信号分析电源电路。
IEEE于1983年创建了里程碑计划，以嘉奖在与众不同商品、服务项目、有知名度的毕业论文和专利权中改善生活的技术革新和非凡造就。每一个里程碑式奖都意味着了一项最少是25年以前在IEEE意味着的技术领域造成的最少具备地域知名度的关键技术性造就。现阶段，IEEE在全世界范畴内准许并授予了大概220块IEEE里程碑式横匾。
在20世纪八十年代前期，意法半导体技术工程师逐渐找寻靠谱的方式 处理各种各样电子器件运用难题，并第最先在一颗单芯片上集成化异质性晶体三极管和异质性二极管。技术工程师紧紧围绕好几个市场细分的客户满意度，切实于在数字逻辑的操纵下给予数百瓦的电力工程，并且操纵逻辑性技术性遵照颠覆性创新。总体目标元器件还将适用精准的仿真模拟作用，并较大 水平地降低功耗，不用应用热管散热器。
这种产品研发主题活动最后造成了一种新的集成化硅栅技术性。这类被称作BCD (双极、CMOS、DMOS) 的技术性运用繁杂的互联方式 在单独集成ic上集成化二极管、双极线形晶体三极管、繁杂CMOS逻辑性和好几个DMOS输出功率晶体三极管。BCD第一个集成ic是L6202电机全桥控制器，工作标准电压60V，电流量1.5A，电源开关頻率300kHz，做到全部设计方案总体目标。这一新的靠谱生产工艺让ic设计工作人员可以在单独集成ic上灵便地集通过率、仿真模拟和数据信号分析电源电路。
从发布BCD加工工艺迄今，意法半导体早已卖出400多亿颗硅栅多输出功率BCD元器件/集成ic，第十代BCD技术性即将开始建成投产。在欧洲地区和亚洲地区，意法半导体前后左右工艺流程生产制造加工厂的此项BCD技术性普遍用以车辆分系统、智能机、电器产品、音频放大器、电脑硬盘、开关电源、复印机、微型投影仪、照明灯具、医疗器械、电机、调制调解器、显示屏等。
意法半导体首席总裁、CEOJean-Marc Chery表明：“在八十年代初, 智能化开关电源或是一个独树一帜的定义，大家的一个高瞻远瞩和目光的奇才技术性精英团队了解到智能化开关电源的使用价值，造就了一项不凡造就，将双极晶体三极管的高精密作用与CMOS计算机控制和DMOS的大功率融合成一颗集成ic。到现在，早已以往35年并经历了9次技术性迭代更新，大家产出率五百万片晶圆，卖出400亿颗集成ic – 仅上年一年就卖出近30亿颗集成ic。可以获得这一IEEE里程碑式牌匾代表着ST的BCD技术性将被写到推动人类发展的高新科技史册，对于此事，大家的引以为豪溢于言表。”
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