安森美半导体材料发布业内第一款图腾柱PFC控制板

发布时间：2021-06-24 20:29:10发布人：日新微博

6月23日信息，安森美半导体材料 (ON Semiconductor)发布业内第一款专用型临界值通断方式 (CrM) 图腾柱PFC控制板，它是该企业极高相对密度线下开关电源计划方案集的新组员。
在传统式的PFC电源电路中，整流管二极管在240 W开关电源中的耗损约4 W，占总耗损的20%上下。比较之下，PFC级的能耗等级一般为97%，LLC电源电路完成相近的特性。殊不知，用 "图腾柱 "配备的电源开关替代有耗损的二极管，并拉进变压PFC作用，可降低电桥电路耗损，明显提升总体能耗等级。除此之外，NCP1680可适用一切电源开关种类，不论是非常结硅MOSFET或是碳碳复合材料 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 等宽禁带电源开关。
新的 NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制板选用新奇的电流量限定构架和路线相位差检验，与此同时融合工作经验证的控制系统，给予性价比高的图腾柱 PFC计划方案，而不危害特性。该 IC 的关键是內部赔偿数据环城路操纵。该自主创新元器件选用含低谷电源开关的稳定通断時间 CrM 构架。因为内嵌非持续通断方式 (DCM)，在頻率返走工作中期内低谷同歩通断，因而可达到当代能耗等级规范，包含这些规定在负载下给予高能耗等级的规范。
该高宽比集成化的元器件可使电源设计在通用性开关电源 (90 至 265 Vac) 下为达到350 W的提议输出功率水准工作中。在 230 Vac 开关电源键入下，根据 NCP1680 的 PFC 电源电路可以在 300 W完成近 99% 的能耗等级。在外界只需好多个简易的元器件就可以完成多功能图腾柱 PFC，进而节约室内空间和元器件成本费。 进一步降低元器件数，完成逐周期时间电流量限定，不用霍尔效应感应器。
NCP1680选用中小型SOIC-16封裝，也可做为评定服务平台的一部分，适用快速开发和调节优秀的图腾柱PFC设计方案。
依据图腾柱电源开关技术性中，之中包含了快速半桥和低速档半桥双路，在其中在快速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高电子器件电子密度晶体三极管 (HEMT) 门极控制器或 NCP51561 防护型 SiC MOSFET 门极控制器一起应用
NCP51561 是防护型双通道内存门极控制器，具备 4.5 A 源电流量和 9 A 灌电流量最高值工作能力。 新元器件适用硅输出功率 MOSFET 和根据 SiC 的 MOSFET 元器件的快速开关，给予短且配对的散播延迟时间。 2个单独的 5 kVRMS (UL1577 级) 电防护门极控制器安全通道可作为2个下桥、2个上桥电源开关或一个半桥控制器，具备可编程控制器的过流保护時间。 一个也就能脚位将与此同时关闭2个輸出，且 NCP51561 给予别的关键的维护作用，如用以2个门极控制器的单独欠压保护锁住 (UVLO) 和也就能作用。
安森美半导体材料给予主力阵容普遍的 SiC MOSFET，他们比硅 MOSFET 给予高些能耗等级。低通断电阻器 (RDS(on)) 和精巧的芯片尺寸保证 低电容器和门极正电荷 (Qg)，以在更小的系统软件规格中给予最大的能耗等级，进而提升功率。 安森美半导体材料已公布选用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并将再次激增该商品系列产品。 除此之外，安森美半导体材料给予详细的硅基 650 V SUPERFET? III MOSFET 产品组合策略。

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