在10nm连接点Intel的进展比预估晚了很多年,非常大一个缘故跟EUV光刻技术相关,Intel以前一直觉得EUV技术性不成熟,因此 她们在10nm连接点应用了四重曝出加工工艺,批量生产难度系数大,造成10nm加工工艺推迟。
如今Intel的心态发生变化,对EUV光刻技术逐渐高度重视起来了,终究三星、tsmc的EUV加工工艺都批量生产两年了,Intel也将在7nm连接点全方位应用EUV光刻技术,只不过是该加工工艺也改档了,预估2023年才动能产。
在日前参与摩根银行的大会时,CEO尼克松总统表明,Intel将全方位相拥EUV光刻技术,大伙儿可以见到Intel对EUV加工工艺开展几代人重特大改善,大伙儿能见到晶体三极管等级的重特大改善。
从Intel的表态发言看来,她们对EUV加工工艺很有信心,不一样生产商手上EUV加工工艺的充分发挥状况也不一样,Intel这番表态发言暗示着她们会对EUV加工工艺作出重特大改善,乃至能深层次到晶体三极管等级的升級改进。
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