b. 生长一层GaAs buffer（缓冲层），其晶格质量较衬底好，可除衬底影响，但不能消除位错。
c. 生长一套DBR（分布布拉格反射器）。它是利用GaAs和AlAs反射率不同，可达到增反射效果，提高反射率。每层厚度：d=λ/4n （d：厚度，λ：波长，n：材料折射率），这一层相当于镜子的作用，减少衬底的吸收。
d. 生长一层N型(Al0.95Ga0.05)0.5In0.5P，为active layer(有源区)提供辐射复合电子。
e. Actrive layer（有源层），其成分是 (AlxGa1-x)0.5In0.5P /(AlyGa1-y)0.5In0.5P，是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。它通过调节MQW（多量子阱）中的Al(铝)的组分，达到调节波长的作用，通过优化此层的参数（如：阱的个数，材料组分，量子阱周期厚度），可明显提高发光效率。
f. 生长一层P型(Al0.95Ga0.05)0.5In0.5P，此层因Al组分很高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。
g. 生长一层P型GaP层，此层为电流扩展层，扩展层越厚，电流扩展得越好，亮度越高。（但有一个成本问题）
1. 基本反应：
红黄光：TMGa+AsH3 --> GaAs+CH4
TMGa+PH3 --> GaP+CH4
蓝绿光：TMGa+ NH3 --> GaN+CH4
反应特点：
a.远离化学平衡：Ⅴ/Ⅲ>>1
b.晶体生长速率主要由Ⅲ族元素决定
2. 外延层结构及生长过程
（1）红黄光LED
a. 首先对衬底进行高温处理，以清洁其表面。
b. 生长一层GaAs buffer（缓冲层），其晶格质量较衬底好，可除衬底影响，但不能消除位错。
c. 生长一套DBR（分布布拉格反射器）。它是利用GaAs和AlAs反射率不同，可达到增反射效果，提高反射率。每层厚度：d=λ/4n （d：厚度，λ：波长，n：材料折射率），这一层相当于镜子的作用，减少衬底的吸收。
d. 生长一层N型(Al0.95Ga0.05)0.5In0.5P，为active layer(有源区)提供辐射复合电子。
e. Actrive layer（有源层），其成分是 (AlxGa1-x)0.5In0.5P /(AlyGa1-y)0.5In0.5P，是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。它通过调节MQW（多量子阱）中的Al(铝)的组分，达到调节波长的作用，通过优化此层的参数（如：阱的个数，材料组分，量子阱周期厚度），可明显提高发光效率。
f. 生长一层P型(Al0.95Ga0.05)0.5In0.5P，此层因Al组分很高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。
g. 生长一层P型GaP层，此层为电流扩展层，扩展层越厚，电流扩展得越好，亮度越高。（但有一个成本问题）