日新微博 
(日新微博分享新鲜事！) 2023年04月06日 22时51分
最近，我想将自己的职业技能提高一些，然而现在每天工作的劳动强度变大了，事情变得特别多，一天的活干下来以后感觉特别累，已经没有什么心思去学习一些内容，还是一些实操的内容不让我们动手了，只能先去学习理论的知识，其实机台的气路和电路还是够自己学习的，我对于看图还是不行
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2023年04月06日 22时49分
时间过得太快了，没有想到还是2021年发的微博，现在已经2023年了，感觉没有太多的变化，目前微博进行了一些限制，以后不会有长微博了，除了资讯可以发长内容，微博以后都会限制在140字。以后还是将工作的一些想法和心得发到工作微群里，反正都是自己看。
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年06月22日 21时47分
今天上班遇到很多事情，我感觉自己辛苦付出那么多，没有人在意也就算了，反而有人来找我麻烦，难道真是做的事情越少越好呢？
因为这样才不会犯错，不犯错也就没有人来找我了。但是我准备升职等工资，如果不努力一点也没有机会升上去。
现在我也没有好的提善改案，因为现在升职等需要，我不知道找谁才
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现在我也没有好的提善改案，因为现在升职等需要，我不知道找谁才
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年06月22日 21时43分
真的很气人，九牧王这支股票在我手上已经三五年了，一直不涨，几乎就在亏损边缘，五月份的时候我感觉股市会下行，将手上的股票都给出售了，进入六月份以后，九牧王这支股票也开始发力了，这几天已经相当于两个涨停了。现在每股13.93元了，我这个人的运气真的很差，一次没有能够抓住机会。
反而去年和今
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月15日 22时01分
记录一下Scrubber更换水流量控制阀（我这样称呼它），这个阀是用来控制流量、ORP和PH的，通过它来关闭和打开检测Scrubber内部的PH和ORP，由于时间长久的原因，两个阀有一个坏掉了，我在更换的时候没有经验，导致将整个管道给掰断了。
由于没有图片在手上，大概就是来描述一下处理的方法，主要就是先将
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月15日 21时55分
昨天又一次出现失误，大概半年前检的Y管，昨天在安装后，检漏发现有大漏，这次属于个人失误，在安装前也没有再次检漏。
关键我发现这根Y管有可能是我自己检漏的，因为字迹有一点像我的字迹，也有可能与别人一起检漏的，这件事情让我以后一定要注意有波纹管的Y管，这些Y管有可能会漏。
最后要说明的事
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最后要说明的事
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月04日 22时24分
我要有一个想法，就是能力将工作中遇到的一些异常处理方法记录整理出来，以后有机会再记录到自己的笔记上面去，平时可以在电脑上及时记录一些内容，通过多次处理异常以后，能够使自己进步，然后将这些异常处理方法运用到工作中去。
那么就要求自己有机会多学习，提高自己动手能力。
那么就要求自己有机会多学习，提高自己动手能力。
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月04日 22时21分
今天遇到一个异常，早上更换一个磷过滤器后，Ebara泵一开就down机，通过检查发现稀释N2有点堵了，磷过滤器前端球阀连接的弯头管道已经堵死，同时发现DPT也堵掉了，然后我就全部安装新的管道，清理DPT三通后，打开Ebara泵后还是down机，问题就是出现在这里，一直以为是磷过滤器前端DPT的senor有问题，我
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月03日 22时48分
（2）蓝绿光LED
a. 首先对衬底进行高温处理，以清洁其表面。
b. 因Al2O3与GaN失配非常大（达到13.6%），因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm，
若此层生长有问题，将极大影响上层晶格质量。 c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer（有源层），提供辐
若此层生长有问题，将极大影响上层晶格质量。 c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer（有源层），提供辐
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日新微博 (日新微博分享新鲜事！) 2021年05月03日 22时38分
LED的MOCVD外延生长
1. 基本反应：
红黄光：TMGa+AsH3 --> GaAs+CH4
TMGa+PH3 --> GaP+CH4
蓝绿光：TMGa+ NH3 --> GaN+CH4
反应特点：
a.远离化学平衡：Ⅴ/Ⅲ>>1
b.晶体生长速率主要由Ⅲ族元素决定 2. 外延层结构及生长过程
（1）红黄光LED
790[/image
1. 基本反应：
红黄光：TMGa+AsH3 --> GaAs+CH4
TMGa+PH3 --> GaP+CH4
蓝绿光：TMGa+ NH3 --> GaN+CH4
反应特点：
a.远离化学平衡：Ⅴ/Ⅲ>>1
b.晶体生长速率主要由Ⅲ族元素决定 2. 外延层结构及生长过程
（1）红黄光LED
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