b. 因Al2O3与GaN失配非常大（达到13.6%），因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm，
若此层生长有问题，将极大影响上层晶格质量。
c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer（有源层），提供辐射复合电子。
h. 生长一套active layer(MQW),其成分是InXGa1-XN/GaN，是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。它通过调节MQW（多量子阱）中的In(铟)的组分，达到调节波长的作用，通过优化此层的参数（如：阱的个数，材料组分，量子阱周期厚度及掺杂浓度），可明显提高发光效率，其晶格质量对ESD有很大的影响。
i. 生长一层P型AlXGa1-XN层,因此层Al组分较高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。
a. 首先对衬底进行高温处理，以清洁其表面。
b. 因Al2O3与GaN失配非常大（达到13.6%），因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm，
若此层生长有问题，将极大影响上层晶格质量。
c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer（有源层），提供辐射复合电子。
h. 生长一套active layer(MQW),其成分是InXGa1-XN/GaN，是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。它通过调节MQW（多量子阱）中的In(铟)的组分，达到调节波长的作用，通过优化此层的参数（如：阱的个数，材料组分，量子阱周期厚度及掺杂浓度），可明显提高发光效率，其晶格质量对ESD有很大的影响。
i. 生长一层P型AlXGa1-XN层,因此层Al组分较高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。
d. 生长一层P型GaN，为active layer(有源区)提供辐射复合电子。
红黄光和蓝绿光外延生长完后均须退火，以活化P层，红黄光是在反应室内退火，而蓝绿光是在退火炉内退火（也有公司在反应室内退火）。
外延生长以提高内量子效率为主，芯片及封装工艺提高的是外量子效率。
ηin=产生光子数/注入电子空穴对
ηin:内量子效率
ηex=取出光子数/注入电子空穴对
ηex：外量子效率