（2）蓝绿光LED a. 首先对衬底进行高温处理，以清洁其表面。 b. 因Al2O3与GaN失配非常大（达到13.6%），因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm，
若此层生长有问题，将极大影响上层晶格质量。 c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer（有源层），提供辐

LED的MOCVD外延生长
1. 基本反应：
红黄光：TMGa+AsH3 --> GaAs+CH4
TMGa+PH3 --> GaP+CH4
蓝绿光：TMGa+ NH3 --> GaN+CH4
反应特点：
a.远离化学平衡：Ⅴ/Ⅲ>>1
b.晶体生长速率主要由Ⅲ族元素决定 2. 外延层结构及生长过程
（1）红黄光LED
790[/image

MOCVD设备
1. 发展史：国际上起源于80年代初，我国在80年代中（85年）。
国际上发展特点：专业化分工，我国发展特点：小而全，小作坊式。
技术条件：
a.MO源：难合成，操作困难。
b.设备控制精度：流量及压力控制
c.反应室设计：Vecco:高速旋转 Aixtron:气浮式旋转Tomax Swan :CCS系统（