(2)蓝绿光LED
[image]793[/image]
a. 首先对衬底进行高温处理,以清洁其表面。
b. 因Al2O3与GaN失配非常大(达到13.6%),因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm,
若此层生长有问题,将极大影响上层晶格质量。
c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer(有源层),提供辐 2021年05月03日 22时51分 查看详情
(2)蓝绿光LED
[image]793[/image]
a. 首先对衬底进行高温处理,以清洁其表面。
b. 因Al2O3与GaN失配非常大(达到13.6%),因此必须在低温下生长一层buffer(缓冲层)约20~30nm,
若此层生长有问题,将极大影响上层晶格质量。
c. 生长一层约4μm厚的N型GaN,此层主要为active layer(有源层),提供辐 2021年05月03日 22时51分 查看详情